型号: | FDU7N60NZTU | RoHS: | 无铅 / 符合 |
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制造商: | Fairchild Semiconductor | 描述: | MOSFET N-CH 600V SGL IPAK |
详细参数 |
数值 |
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产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
标准包装 | 70 |
系列 | UniFET-II™ |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 1.25 欧姆 @ 2.75A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 17nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 730pF @ 25V |
功率 - 最大 | 90W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
供应商设备封装 | TO-251 |
包装 | 管件 |